距离三星首度发布 3D V-NAND 芯片已经过去了四年多，
期间这项技术已经有了长足的发展。
时至今日，1Tb 的 V-NAND 芯片已经开发完成，
而三星也宣布对应的产品将会从明年开始量产。
跟之前最大的 512Gb 芯片相比，
这一代的新品容量又翻了一番。
而且按照三星的说法，
在有了 1TB 的 V-NAND 之后，
他们将能通过 16 层堆叠的方式生产出 2TB 的快闪内存。
相信在不久的将来，
家用 PC 甚至手机的用户将都能从中获益。
而对三星自身而言，
应该也意味着半导体业务会迎来新的业绩增长点吧。
可是最重要的是这项技术什么时候用于三星手机，
是大家特别期待的，
但是有着三星强有力的后盾技术，
我相信这一天会很快！
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